二维铁电半导体材料与光电器件探索研究

发布时间:2025-12-01 供稿单位:多酸与网格材料化学教育部重点实验室 点击次数:

标题:二维铁电半导体材料与光电器件探索研究

报告时间:2025年12月1日(星期一) 13:30-15:00

报告地点:人民大街校区惟真楼1629会议室

主讲人孙志华

主办单位多酸与网格材料化学教育部重点实验室

报告内容简介

团队近年来为解决铁电极化与半导体性能兼容,采用对刚性骨架进行精准调控以及电场诱导偶极重排的新方法,获得了一系列新颖的极性光电功能晶体材料。此外,提出可以通过制备高性能晶体/异质结光电器件,拓展了铁电半导体材料在光电、信息存储领域的新应用。同时就铁电材料构效关系、器件集成工艺等前沿问题进行了探索性的研究。

主讲人简介:

孙志华,中科院福建物质结构研究所二级研究员,博士生导师,国家级高层次青年人才。研究兴趣集中在新颖光电功能晶体探索与器件应用,近年来围绕二维铁电/反铁电分子材料的设计合成、精准制备与光电子器件开展系统性研究工作,在国际学术期刊PNAS、Nature Comm.、Sci. Adv.、JACS、Angew和Adv. Mater.等发表200多篇论文,获授权国家发明专利20多件。担任国产期刊《Chin. J. Struct. Chem. 》副主编、《Microstructures》和《中国化学快报》等期刊编委,荣获福建青年科技奖、福建省运盛青年科技奖、中国科学院优秀研究生导师、上海分院杰出青年等荣誉奖励。